Ученые из Фуданьского университета (Китай) представили флэш-память на основе графена, которая бьет рекорды скорости, считавшиеся ранее недостижимыми. Разработка получила название PoX. Устройство способно записывать информацию всего за 400 пикосекунд — это четыреста триллионных долей секунды. Таким образом, PoX становится самым быстрым полупроводниковым накопителем в истории.
В перспективе PoX может выполнять 25 миллиардов операций в секунду, что в 100 000 раз превосходит предыдущий мировой рекорд для аналогичной технологии.
Революционная разработка найдет применение в сфере искусственного интеллекта. По мере того как ИИ-модели становятся все сложнее и масштабнее, растущие требования к вычислениям заставляют существующие технологии памяти работать на пределе своих возможностей.
Традиционная энергозависимая память, такая как статическая и динамическая оперативная память, обладает впечатляющей скоростью, но при отключении питания она теряет всю сохраненную информацию.
Энергонезависимая память, например флэш-память, сохраняет данные без питания и потребляет значительно меньше энергии, чем энергонезависимые аналоги, но традиционно отстает по скорости – для доступа к данным часто требуются микросекунды или миллисекунды.
Благодаря беспрецедентной скорости и низкому энергопотреблению PoX может обеспечить обработку огромных массивов данных в режиме реального времени и одновременно снизить энергозатраты на перемещение данных – один из главных барьеров современного оборудования для ИИ.
